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當前位置:首頁   >  產品中心  >  光刻膠  >  SU-8膠  >  GM1010/GM1020/GM1075EM Resist SU-8負性抗蝕劑

EM Resist SU-8負性抗蝕劑

簡要描述:EM Resist SU-8負性抗蝕劑產品,非常適合半導體應用。我們的產品有各種形式和厚度范圍。
典型的SU-8過程包括以下步驟:
基板準備 旋涂 松弛時間以提高表面均勻度 軟烤 曝光后烘烤 發(fā)展歷程 沖洗并干燥 可選硬烤

  • 產品型號:GM1010/GM1020/GM1075
  • 廠商性質:代理商
  • 更新時間:2024-05-17
  • 訪  問  量:2458

詳細介紹

EM Resist SU-8負性抗蝕劑產品,非常適合半導體應用。我們的產品有各種形式和厚度范圍。

產品                  膜厚范圍            涂層選項

GM1010           <0.2微米           噴涂外套

GM1020           0.2-0.5微米      旋轉,噴涂,噴墨

GM1030           0.5-1.2微米      旋轉,噴涂,噴墨

GM1040           0.9-3.2微米      旋轉,噴涂,噴墨

GM1050            3-8微米              旋轉,噴墨

GM1060            2-27微米            旋轉,噴墨

GM1070           15-200微米         旋轉,噴墨

GM1075           100-400微米       旋轉,噴墨

小訂購量為250mL

 

SML Resist是一種高分辨率,高縱橫比的正色調電子束抗蝕劑。EM Resist SU-8負性抗蝕劑具有出色的附著力和出色的抗干蝕刻性。SML可用于MEMS,波帶片,光子學和許多其他納米加工應用

SML電子束抗蝕劑的厚度范圍從50nm2μm,起始體積僅為50mL。

高性能SML電子束抗蝕劑是一種新型聚合物,專為滿足EBL社區(qū)的需求而設計。即使在低加速電壓下,也無需借助鄰近效應校正,就可以同時將其圖案化為高分辨率和高長寬比的圖案。

SML抗蝕劑經過專門設計,可與標準PMMA工藝配合使用。無需更改化學或過程培訓。

產品范圍–厚度

SML5040nm 100nm

SML10090nm 210nm

SML300250nm 600nm

 

技術指標

高分辨率:<10nm

*的寬高比:

30 kV> 101

> 501 @ 100 kV

厚度:50 nm 2000 nm

 

PMMA抗蝕劑是用于電子束光刻的行業(yè)標準正性抗蝕劑。我們提供各種分子量和厚度的PMMA。

PMMA Resist是行業(yè)標準的電子束抗蝕劑,廣泛用于學術界和工業(yè),用于高分辨率功能和剝離應用。它也可以用于納米壓印應用以及其他晶圓廠和研發(fā)過程,例如石墨烯薄片轉移。

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